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MOSFET和IGBT栅极驱动器电路理学习笔记之MOSFET技术

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.71 MB | 2023-02-24

自我清欢

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双极晶体管和 MOSFET晶体管的工作原理相同。从根本上说,这两种晶体管都是电荷控制器件,这就意味着它们的输出电流与控制电极在半导体 中形成的电荷成比例。将这些器件用作开关时,都必须由能够提供足够灌入和拉出电流的低阻抗源来驱动,以实现控制电荷的快速嵌入和脱出。 从这一点来看,在开关期间,MOSFET必须以类似于双极晶体管的形式进行“硬”驱动,以实现可媲美的开关速度。从理论上来说,双极晶体管和 MOSFET器件的开关速度几乎相同,这取决于电荷载流子在半导体区域中传输所需的时间。功率器件的典型值大约为 20 至 200 皮秒,具体取决 于器件大小。

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