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控制多晶硅（poly-Si）/4H-SiC异质结二极管能垒高度（ΦB）的方法

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:0.35 MB | 2024-04-23

orochi_chen

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　　我们实验研究了一种控制多晶硅(poly-Si)/4H-SiC异质结二极管(HJD)能垒高度(ΦB)的方法，并使用ΦB控制对一种新型低VON和低反向恢复电流二极管进行了数值模拟。掺砷n+-poly-Si的HJD的ΦB为0.79eV，掺硼p+-poly-Si的HJD为1.59eV。通过改变多晶硅的掺杂剂和离子注入剂量，ΦB可以控制在很宽的范围内。还提出了一种新的合并HJD(M-HJD)，通过ΦB控制获得了两个不同的ΦB值。数值模拟结果表明，在高反向电压下，M-HJD在不增加反向漏电流的情况下降低了VON。

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