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600V_CoolMOS优化设计
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2012-06-20
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CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构，首先CoolMOS的结构人手，结合电荷平衡
理论，分析了其高击穿电压BV、低导通电阻R。 的原理。通过理论计算，得到相关的设计参数，并结合TCAD软件对Cool—
MOS的多个参数(外延参数、注入剂量、单胞尺寸、推阱时间)进行了优化。最终得到击穿电压为630 V，特征导通电阻RmA仅
为12．5 mQ·cm 的CoolMOS结构，器件特性大大优于传统功率MOSFET。
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