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HPD2606X 600V半桥栅极驱动器技术手册：高压高速MOSFET和IGBT驱动设计
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2025-05-19
内容概要：HPD2606X是一款600V半桥栅极驱动器，采用专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，能够稳定驱动高压MOSFET和IGBT。其主要特性包括悬浮通道设计、抗dV/dt瞬态负电压能力、宽门驱动电源范围（10V-20V）、欠压锁定、3.3V/5V/15V输入逻辑兼容、输入直通防止、双通道延迟匹配、内置死区时间等。文档详细介绍了HPD2606X的功能框图、引脚配置、绝对最大额定值、推荐工作温度、动态和静态电气特性、典型应用电路及保护机制如交叉传导保护和死区时间功能。此外，还提供了订购信息、封装信息及联系信息。
适合人群：电力电子工程师、硬件设计师以及从事电机控制、逆变器设计等相关领域的技术人员。
使用场景及目标：①用于高压功率转换电路中，如电机驱动、逆变器、开关电源等；②确保高侧和低侧功率管的安全切换，避免交叉导通导致的损坏；③提供详细的电气特性数据，帮助工程师进行电路设计和优化。
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