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半导体技术复习资料
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半导体基础知识的总结
半导体技术复习资料
一、名词解释、选择和填空题复习内容
※1、双极性晶体管穿通电压（P102）：当基区宽度较小、杂质浓度较低时。。。这种情况称
※2、n沟道结型场效应管n-JFET（P133）：在一块n型半导体。。。晶体管称为沟道n-JFET。
3、JFET的漏源电导gds（P140）：
※4、雪崩击穿：当N区（P区）的一个杂散空穴（电子）进入空间电荷层时，在它掠向P区（N区）的过程中，它将从电场获得动能。空穴（电子）带着高能和晶格碰撞，并从晶格中电离出一个电子，产生一个电子-空穴对。在第一次碰撞之后，原始和产生的载流子将继续它们的行程，并且可能发生更多的碰撞，产生更多的载流子。结果，载流子的增加是倍增过程，称为雪崩倍增或碰撞电离，由此造成的ＰＮ结击穿称为雪崩击穿。
5、ＰＮ结：任何两种物质（绝缘体除外）的冶金学接触都称为结或接触。由Ｎ型和Ｐ型半导体形成的结称为ＰＮ结。
※6、同质结：由同种半导体构成的结称为同质结。同质结又有同型同质结和异型同质结之分（这里指的是导电类型）。
※7、异质结：由不同种半导体构成的结称为异质结。异质结又有同型异质结和异型异质结之分（这里指的是导电类型）。
※8、金属—半导体结：由金属和半导体形成的结称为金属—半导体结，又称为金属半导体接触。
9、突变结：Ｐ型区和Ｎ型区之间的杂质分布变化陡峭的ＰＮ结。
10、中性区：中性区的第一个含义就是指没有空间电荷存在，电场为零；第二个含义是其电阻与空间电荷区的电阻相比可以忽略，加偏压时它们承受的电压降可以忽略。
※11、耗尽区与耗尽近似：空间电荷区里自由载流子浓度与电离杂质浓度相比可以忽略，可以说自由载流子被耗尽了，因此把空间电荷区称为耗尽区。这种假设称为耗尽近似。
※12势垒区：与空间电荷区两侧内建电势能差称为势垒。由于空间电荷区两侧存在电子和空穴的势垒，因此，也把空间电荷区称为势垒区。势垒区、空间电荷区、耗尽区指的是同一件事。
※13、少子扩散区：在空间电荷区两侧中性区里一个到几个扩散长度的区域内，注入少子以扩散方式运动，这个区域称为少子扩散区，简称扩大散区。
14、扩散电容：PN结扩散区内的储存电荷量会随着外加偏压的变化而变化，相应的电容称为过渡电容，表示为CD=（TPI）/（2VT）
15、扩散电阻：对于PN结电阻，正偏PN结扩散电阻很小，反偏PN结扩散电阻是直流电导的倒数。
※16、穿通击穿：在基极开路情况下，随着VCE的增加，集电结的空间电荷区将展宽。很可能在发生雪崩击穿之前集电结的空间电荷区就已经扩展到了发射结，这种现象称为基区穿通。基区穿通时晶体管中会有很大的电流流过，晶体管发生击穿，这种击穿常称为穿通击穿。
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