资料下载
×
磨损均衡算法在NAND Flash管理中的改进
消耗积分:5 |
格式:rar |
大小:142 |
2009-08-10
王杰
分享资料个
由于Flash 具有擦除次数有限、先擦后写的特点，会带来使用寿命有限的缺陷。为延
长其预期使用寿命，普遍采用磨损均衡算法对各存储单元进行管理。该算法核心在每次写操作时将新数据写入到最少被使用的物理块中。本文对该算法在垃圾回收策略和对静态文件管理方式做出改进。垃圾回收时在遵照磨损均衡原则的前提下提高写入数据效率，同时增强该算法对不同类型的文件存储单元管理能力，从而达到更加有效的磨损均衡。
随着嵌入式技术发展，NAND 型Flash 的应用越来越广泛。由于Flash 具有擦除次数有
限、先擦后写的特点，会带来使用寿命有限的缺陷。因此，在不影响正常使用情况下如何延长Flash 使用寿命，成为目前的一个研究热点，就已有的研究成果来看，主要是在Flash 读写操作中引入存储单元擦写控制算法，平均各单元的擦写频率，可有效避免Flash 存储单元因擦写频率分布不均造成的物理损坏。本文将就Flash 在擦写数据频率高的场合中使用时，对擦写管理机制进行研究，并对目前磨损均衡算法进行改良，进一步提升其效果。
长其预期使用寿命，普遍采用磨损均衡算法对各存储单元进行管理。该算法核心在每次写操作时将新数据写入到最少被使用的物理块中。本文对该算法在垃圾回收策略和对静态文件管理方式做出改进。垃圾回收时在遵照磨损均衡原则的前提下提高写入数据效率，同时增强该算法对不同类型的文件存储单元管理能力，从而达到更加有效的磨损均衡。
随着嵌入式技术发展，NAND 型Flash 的应用越来越广泛。由于Flash 具有擦除次数有
限、先擦后写的特点，会带来使用寿命有限的缺陷。因此，在不影响正常使用情况下如何延长Flash 使用寿命，成为目前的一个研究热点，就已有的研究成果来看，主要是在Flash 读写操作中引入存储单元擦写控制算法，平均各单元的擦写频率，可有效避免Flash 存储单元因擦写频率分布不均造成的物理损坏。本文将就Flash 在擦写数据频率高的场合中使用时，对擦写管理机制进行研究，并对目前磨损均衡算法进行改良，进一步提升其效果。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
