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串行FRAM FM25H20原理及其应用

消耗积分:1 | 格式:rar | 大小:521KB | 2016-05-26

魏志良

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FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产,是高密度的非易失性F-RAM存储器,以低功耗操作,并备有高速串行外设接口 (SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入,具有几乎无限的耐用性,通过微型封装提供更大的数据采集能力,使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。

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