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3D封装对电源管理器件性能及功率密度的提升
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2017-06-07
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叠层放置MOSFET 的好处
为了克服分立方案的不足，TI 发明了Powerstack™封装技术。不局限于两个维度，Powerstack™封装方案利用三个维度，把MOSFET 堆叠在一个创新的封装里。和其他封装技术类似，堆叠的主要好处是充分利用了3D 的集成度。堆叠技术减小了芯片的2D 面积，并节省了板空间。当然，Powerstack™封装除了节省空间，在其他方面也有一定的优势。
Powerstack™封装的额外优势是增强了电性能和热性能。如上所述，堆叠方式通过公共点的直接连接消除了一些电寄生参数。Powerstack™封装中的铜片连接是一种非常有效的技术，它可以充分的利用封装技术并提供非常低的阻抗。同时，TI 的NexFET™也很适用于堆叠技术，因为其地端可以和封装的散热片连在一起，更有效的把热传递给印制板。Powerstack™充分利用了各种封装技术和材料，可以实现更多的集成。
TI NexFET™同步BUCK 功率模块是一个典型的堆叠封装实例，它把两个MOSFET 集成在一个小外形封装内。再在同样的封装内加入一个控制器就构成了完整的功率控制部分。
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