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SRAM CY14B101Q1, CY14B101Q2, CY14B101Q3 1 Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.54 MB | 2017-10-10

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　　赛普拉斯 CY14B101Q1/CY14B101Q2/CY14B101Q3 将每个存

　　储单元中具有非易失性组件的 1Mbit nvSRAM 与串行 SPI 接口结

　　合在一起。 该存储器采用 “128K 字，每字 8 位 ” 的组织方式。 嵌

　　入式非易失性元件通过采用 QuantumTrap 技术，打造出了世界

　　上最可靠的非易失性存储器。 SRAM 能够实现无限次读写循环，

　　而量子井单元则能够提供高度可靠的非易失性数据存储空间。 断

　　电时，数据会从 SRAM 自动转移到非易失性元件中 （“ 存储 ” 操

　　作）（CY14B101Q1 除外）。 加电时，数据会从非易失性存储器

　　回读到 SRAM （“ 回读 ” 操作）。 “ 存储 ” 和 “ 回读 ” 操作也可以

　　由用户通过 SPI 指令触发。

SRAM CY14B101Q1, CY14B101Q2, CY14B101Q3 1 Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM

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