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SST26WF040B/040BA/080B/080BA原文资料数据手册PDF免费下载(串行闪存)

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.67 MB | 2017-10-30

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  连续四I/O™(SQI™)闪存设备的家庭特征的六线,4位I/O接口,允许在低功耗、低引脚数封装的高性能运算。sst26wf040b / 040ba和sst26wf080b / 080ba还支持完整的命令集传统的串行外设接口(SPI)协议的兼容性。系统设计使用SQI闪存设备占据板空间较小,最终降低系统成本。26系列的所有成员,SQI家族制造专有的,高性能的CMOS的SuperFlash®技术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器与其他方法相比,具有更好的可靠性和可制造性。的sst26wf040b / 040ba和sst26wf080b / 080ba显着提高性能和可靠性,同时降低功耗。该设备写入(编程或擦除)一个1.65-1.95v单电源供电,消耗的总能量是一个电压、电流的功能,以及申请时间。因为对于任何给定的电压范围,使用更少的SuperFlash技术电流程序并擦除时间短,消耗的总能量在任何擦除或编程操作比其他闪存技术。sst26wf040b / 040ba和sst26wf080b / 080ba是提供8接触wdfn(6 mm x 5 mm),8引脚SOIC(150密耳),8接触时,与8 xfbga(Z-规模™)包。见引脚分配的图2-1。两种配置可根据订单:sst26wf040b和sst26wf080b默认在加电的WP #保持#引脚启用并在上电的WP #保持#引脚sst26wf040ba和sst26wf080ba默认禁用。
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