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基于SST26WF016B / SST26WF016BA下的1.8V 串行四 I/O（SQI）闪存
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特性
• 单电压读写操作
– 1.65-1.95V
• 串行接口架构
– 采用类 SPI 串行命令结构的半字节宽复用 I/O
- 模式 0 和模式 3
– x1/x2/x4 串行外设接口（Serial Peripheral Interface，
SPI）协议
• 高速时钟频率
– 最高 104 MHz
• 突发模式
– 连续线性突发
– 8/16/32/64 字节带回绕线性突发
• 超高可靠性
– 可擦写次数：100，000 次（最小值）
– 数据保存时间大于 100 年
• 低功耗：
– 读操作工作电流：15 mA（104 MHz 时的典型值）
– 待机电流：8 µA（典型值）
• 页编程
– x1 或 x4 模式下每页 256 字节
• 写操作结束检测
– 软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位
• 灵活的擦除功能
– 均一 4 KB 扇区
– 4 个 8 KB 顶部和底部参数覆盖块
– 1 个 32 KB 顶部和底部覆盖块
– 均一 64 KB 覆盖块
• 写暂停
– 暂停编程或擦除操作以访问另一个块 / 扇区
• 软件复位（RST）模式
• 软件写保护
– 独立块锁定
- 64 KB 块、2 个 32 KB 块和 8 个 8 KB 参数块
• 安全 ID
– 一次性可编程（One-Time Programmable，OTP）的
2 KB 安全 ID
- 出厂前预编程的 64 位惟一标识符
- 用户可编程区域
• 温度范围
– 工业级：-40°C 至 +85°C
• 可用封装
– 8 触点 WSON（6 mm x 5 mm）
– 8 引脚 SOIC（150 mil）
– 8 球 XFBGA（Z-Scale™）
• 所有器件均符合 RoHS 标准
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