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静电放电（ESD）保护元件的对比分析与大电流性能的鉴定

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.2 MB | 2017-11-06

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　　在人们的日常工作生活中，静电放电（ESD）现象可谓无处不在，瞬间产生的上升时间低于纳秒（ns）、持续时间可达数百纳秒且高达数十安培的电流，会对手机、笔记本电脑等电子系统造成损伤。

　　对于电子系统设计人员而言，如果没有采取适当的 ESD 保护措施，所设计的电子产品就会有遭到损伤的可能。因此，电子系统设计中的一项重要课题便是确保使其能够承受 ESD 的冲击，并继续正常工作。

　ESD 保护方法

　　为了给电子系统提供 ESD 保护，可以从不同的角度来着手。一种方法是在半导体芯片内建 ESD 保护架构。不过，日趋缩小的 CMOS 芯片已经越来越不足以承受进行内部 2 kV 等级的 ESD 保护所需要的面积。安森美半导体标准产品部亚太区市场营销副总裁麦满权指出：真正有效的 ESD 保护是不能完全集成到 CMOS 芯片之中的！

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