采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术 ,在相对较高气压和较高功率条件下 ,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料。 材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大 ,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知 获得了沉积速率超过 1nm/ s 高速率器件质量级微晶硅薄膜 ,并且也初步获得了效率达 613 %的高沉积速率微晶硅太阳电池。
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术 ,在较高气压和较高功率的前提条件下 ,获得了沉积速率达 1 nm/ s 以上的器件级微晶硅薄膜 ,微晶硅薄膜太阳电池的效率也达到了 6.3 %。
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