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基于深亚微米MOS器件沟道的热噪声浅析
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2009-12-15
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基于深亚微米MOS 器件沟道的热噪声浅析
曾献芳
摘要： 随着 MOS 器件工艺尺寸的不断减小，其不断增高的单位增益截止频率足以满足
射频/模拟电路的工作要求。然而，随着沟道长度的变短，沟道噪声对电路的贡献增
大，噪声是电路关注的主要性能之一。由于二级效应，经典的长沟道噪声模型不再
精确。本文总结了沟道热噪声产生的机理，以及短沟道载流子有效迁移率的计算。
系统详细地描述了近年来基于深亚微米短沟道MOS 器件的热噪声的模型。在文章的
最后，介绍了沟道噪声的仿真和测试方法。
关键词：深亚微米；热噪声；短沟道；载流子
曾献芳
摘要： 随着 MOS 器件工艺尺寸的不断减小，其不断增高的单位增益截止频率足以满足
射频/模拟电路的工作要求。然而，随着沟道长度的变短，沟道噪声对电路的贡献增
大，噪声是电路关注的主要性能之一。由于二级效应，经典的长沟道噪声模型不再
精确。本文总结了沟道热噪声产生的机理，以及短沟道载流子有效迁移率的计算。
系统详细地描述了近年来基于深亚微米短沟道MOS 器件的热噪声的模型。在文章的
最后，介绍了沟道噪声的仿真和测试方法。
关键词：深亚微米；热噪声；短沟道；载流子
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