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掩模曝光剂量的精细控制工艺设计

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:444 | 2009-12-21

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掩模曝光剂量的精细控制工艺设计　
胡广荣 李文石
(苏州大学 电子信息学院 微电子学系，江苏 苏州 215021)
摘要：本文从光学邻近效应的机理出发, 基于区域划分掩模特征线条，实施曝光剂量控制，从而达到光学邻近效应的精细校正。通过模拟测试图形得到改进后的掩模图形畸变率，与传统曝光剂量校正法相比，减少了约4%。
关键词: 光学邻近效应校正, 特征线条区域划分, 图形畸变率
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