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TPA31xxDx自举电路

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:5.18MB | 2024-10-25

王静

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全H桥输出级仅使用TPA31xx器件上的n沟道MOSFET(NMOS)。因此，需要自举电容来正确开启各输出的高端。本文介绍了TPA31xxDx器件上的这种电路。在大多数开关应用中，自举电路广泛用于驱动高端金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种自举电路技术具有简单和低成本的优点。连接在BSxx引脚和相应输出引脚之间的自举电容充当高端N沟道功率MOSFET栅极驱动电路的浮动电源。在每个高端开关周期中，自举电容将栅极-源极电压保持在足够高的水平，以保持高端MOSFETs开启。
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