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在GaN半桥电路中实现自举过充预防

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.3MB | 2024-08-29

贾飞世

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与 MOSFET 相比，GaN FET 在开关特性方面具有许多优势。但是，GaN FET 也面临一些独特的挑战，必须解决 这些挑战才能实现卓越性能。其中一个挑战是半桥拓扑中的自举过充。 电路设计人员使用多种方法来解决自举过充问题。本文档比较了这些自举过充预防方法，包括集成在半桥 GaN 驱 动器（例如 LMG1205、LM5113-Q1 和 LMG1210）中的方法。
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