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基于SiO2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:1.19 MB | 2018-02-10

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　　为了提高915 nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力，采用基于Si0：薄膜无杂质诱导量子阱混合法制备符合915 nm半导体激光器AIGaInAs单量子阱的非吸收窗口．研究了无杂质空位诱导量子阱混合理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO2薄膜厚度、SiO2薄膜折射率、不同盖片等试验参数对制备非吸窗口的影响，并且讨论了Si0，薄膜介质膜的多孔性对无杂质诱导量子阱混合的影响．实验制备出蓝移波长为53 nm的非吸收窗口，最佳制备非吸收窗口条件为退火温度为875℃，退火时间为90s，SiO2薄膜折射率为1.447，厚度为200 nm，使用GaAs盖片．
 

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