大功率激光器在光束质量、工作效率、结构体积、寿命和系统维护等方面具有明显的优势。但与此同时,由于单颗芯片出光功率大,单位面积产生的热量大,如果不做好散热技术,将直接影响半导体激光器输出功率、阈值电流密度、电光转化效率、微分量子效率、偏振度等性能,并导致半导体激光器寿命和可靠性的下降,甚至会损毁芯片,最终影响器件可靠性。
在交付使用之前需要将激光器芯片置于高的温度和电流等极端操作条件下进行寿命和可靠性实验,淘汰早期失效器件并检测出失效因素。目前,大功率激光器芯片在大电流工作连续输出时普遍面临着各种测试难点:
1、LIV测试时光电参数受热的影响比较大;
2、激光器芯片直流、宽脉冲下的测试结果不准;
3、大功率激光器抗浪涌冲击能力差,要求脉冲电流无过冲,浪涌冲击小;
4、电源的波动会影响激光器的寿命,同时会造成光功率不稳定及器件发热不稳定等。
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