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DV2003S2快速充电开发系统
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2024-12-21
李娟
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DV2003S2开发系统为bq2003快速充电IC提供了开发环境。DV2003S2集成了一个bg2003和一个N-FET降压式开关模式调节器，可为2至16个NiCd或镍氢电池提供快速充电控制。DV2003S2和DV2003S1的主要区别在于开关FET Q1。DV2003S1使用P-FET支持3.0A或更低的电池充电电流，而DV2003S2使用n-FET支持最高6.0A的充电电流。使用DV200352板之前，请查看bq2003数据手册和应用笔记“使用bq2003控制快速充电”。另请参考应用笔记“使用bq2003的降压开关电流调节”，了解O1vvswThe使用P-FET和N-FET晶体管之间的权衡。快速充电通过以下任一方式终止:AT/At，-AV、最大温度、最大时间、最大电压或外部禁止命令。
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