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基于钴硅化物电迁移现象的电熔丝器件的优化设计与研究

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:223 | 2010-01-20

王娟

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设计了一种完全兼容现有 0.18μm 标准CMOS 工艺的，利用电迁移现象的，价格低廉
的电熔丝器件结构。结果表明，在该结构下，通过优化参数，所获得的eFUSE 器件结构，熔断后电阻高达107 欧姆数量级，熔断率高达99%，解决了传统结构下中熔丝熔断后电阻太小，局部过热可能产生爆裂的问题。
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