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一种中电压大功率IGBT模块行为模型
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2018-03-08
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目前已有场终止型绝缘栅双极性晶体管（ IGBT）行为模型以及仿真软件中的IGBT模型末专门针对中电压大功率IGBT模块搭建，不能准确模拟其区别于中小功率IGBT的行为特性。在已有行为模型基础上，提出引入IGBT基区存储电荷造成的等效电容及模块封装键合丝带来的寄生电感，考虑反并联PIN二极管行为模型，从而有针对性地实现了完整中电压大功率IGBT模块行为模型。同时提出了新的米勒电容函数拟合方法，量化分析行为模型完整开关过程中典型行为与模型参数的关系，通过较简便的方法实现了模型参数的提取。最后在Pspice环境下实现了一种3.3kV/1.5kA等级IGBT行为模型，并通过在Buck电路下仿真与实验波形对比证明了该行为模型的可行性和有效性。
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