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MGJ系列DC-DC转换器的介绍和应用的详细资料概述
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2018-10-27
Michal
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在高功率，逆变器或转换器通常使用“桥”配置来产生线频交流或提供双向PWM驱动到电机，变压器或其他负载。桥式电路通常包括IGBT或MOSFET，包括SiC和GaN品种，作为“高端”开关，其发射器/源是高压和高频的开关节点。因此，使用发射器/源作为基准的栅极驱动PWM信号和相关的驱动功率轨必须与地电隔离。另外的要求是驱动电路和相关的功率轨应该不受开关节点的高“dV/dt”的影响，并且具有非常低的耦合电容。在许多情况下，桥式电路需要与控制电路安全机构额定的隔离，因此驱动电路隔离屏障必须是坚固的，并且在设计寿命期间不会由于局部放电效应而显示出明显的劣化。
MGJ系列DC-DC转换器被设计成为这些“高端”栅极驱动电路提供最佳的驱动电压和隔离。
栅极驱动电路的正功率轨电压应该足够高，以确保功率开关的完全饱和/增强而不超过其栅极的绝对最大电压。MGJ系列有15 V，+19V或20 V的选项，以适应各种设备。例如，IGBT和GaN MOSFET将在15V驱动下完全导通，但是典型的SiC MOSFET可能需要接近20V才能完全增强。见正电压选项表1。
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