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如何进行电子束光刻中的相互邻近效应校正技术研究与分析
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本文研究了 基于形状修正的电子束光刻分级邻近效应校正技术，在内部邻近效应校正的基础上，在计算图形之间产生的相互邻近效应过程中，采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口机制。局部曝光窗口的区域小，对计算精度影响大，采用累积求和的方法进行精确计算;全局曝光窗口区域大，对计算精度影响小，采用大像点近似的方法进行计算，从而更快速地实现邻近效应校正。该技术的应用，满足了校正精度和运算速度两方面的要求。实验结果与模拟结果一致，表明通过采用局部曝光窗口和全局曝光窗口机制，能够快速地实现相互邻近效应校正，在校正精度相同的情况下，有效提高了运算速度。
微细加工技术是制备超大规模集成电路的关键技术，它可以按照设计图形实现高精度的微型器件加工。随着现代科学技术的不断发展，对集成电路分辨率的要求越来越高，这就对图形加工技术提出了更高的要求。电子束光刻是极好的高分辨率图形加工技术，理论上其分辨率可达3~8nm ，但是。由于电子在抗蚀剂和基片中可产生多达数微米的散射，因此抗蚀剂中某一点所吸收到的能量沉积会受到该点和相邻曝光点人射电子剂量的影响。在较大曝光区域的中心会包含来自周围人射电子的很多分量，而该区域的拐角和边缘处没有接收到相同的总剂量，导致显影图形发生偏移。如果边缘处的吸收能量密度正好为显影阈值，那么其拐角处则不能显影出所希望的位置，这称为内部邻近效应”。当相邻的图形相距很近时，则产生共同的曝光效应，使相邻图形之间彼此向对方凸出和延伸，甚至形成桥接现象，这称为相互邻近效应”。
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