IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种电压控制型功率器件,它所需驱动功率小,控制电路简单,导通压降低,且具有较大的安全工作区和短路承受能力。因此,目前IGBT已在中功率以上的电力电子系统中(如变频器、UPS电源、高频焊机等)逐渐取代了POWER MOSFET及POWER BJT而成为功率开关元件市场中的重要一员。
然而如何有效地驱动并保护IGBT则成为目前电力电子领域中的重要研究课题之一。一个具有保护功能的驱动电路不但能在正常工作状态下给IGBT提供所需的驱动功率,在异常工作状态下能起保护IGBT的作用,而且应当能使电力电子系统中的IGBT有很好的替换特性。因此高性能的驱动电路是提高电子产品品质和可靠性,从而增强其竞争力的关键之一。
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