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PVD技术在CCL中的应用研究
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2010-08-27
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物理气相沉积(PVD，Phisical Vapor Deposition)是在现代物理、化学、材料学、电子学等多学科基础上，经过多年的不断发展而成为一门新兴先进的工程技术。它是将耙材(需镀薄膜材料)在较低的气体压力环境下，经过物理过程而进入气相直接沉积在衬底表面的过程。目前，PVD沉积技术有蒸镀、磁控溅射和离子镀法三种。以中频磁控溅射为例，它是利用带有电荷的离子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引入欲被溅射的物质做成的耙电极。在合适的离子能量条件下，入射离子在与耙表面原子的碰撞过程中将后者溅射出来。这些被溅射出来的原子带有一定的动能， 并且会沿着一定的方向射向衬底，从而实现薄膜的沉积。PVD是纯物理的纳米级薄膜沉积过程，因此，在制造超薄基铜、低粗糙(轮廓)度(LP)CCL和超低粗糙度(VLP)CCL具有绝对的优势。它不仅有利于PCB精细导线等的制造，还可以大大减少电解铜箔和PCB生产造成令人头痛的环境污染问题(由于CCL的基铜可以薄到lμm～2μm，减少了蚀刻和清洗产生的污染)。
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