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FDH45N50F 500V N沟道晶体管的数据手册免费下载
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2019-04-18
aattjj
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这些N通道增强模式功率场效应晶体管是使用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术生产的。
这种先进的技术已经特别定制，以尽量减少通态电阻，提供优越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率的开关电源和有源功率因数校正。
特征
45A，500V，rds（开）=0.12Ω@vgs=10 V
低栅极电荷（典型105 NC）
低CRS（典型62 pf）
快速切换
100%雪崩试验
提高了dv/dt能力
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