### 产品简介
**型号：6679H-VB**
6679H-VB 是一款单P沟道功率MOSFET，采用Trench技术，设计用于负电压和高电流承载的应用，具备低导通电阻和高性能特性。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单P沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：-30V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：-2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：11mΩ @ VGS=4.5V, 9mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：-60A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
6679H-VB 可以广泛应用于以下领域和模块中：
1. **电源管理**：适用于需要负电压开关和控制的电源管理系统，如电源逆变器和DC-DC转换器中的负电压开关电路。
2. **电动工具**：在需要负电压控制的电动工具和电动车辆中，用于电机控制、电池管理和回馈电路，提升设备的效率和性能。
3. **汽车电子**：用于汽车电子系统中的负电压开关和电路控制，支持车辆电气系统的稳定运行和功能。
4. **电路保护**：在电路保护和电子开关系统中，用于实现负电压下的安全开关和保护功能，确保设备和电子元件的长期可靠性。
5. **医疗设备**：应用于需要负电压控制和功率管理的医疗设备中，如X射线机、医疗成像设备和生物医学仪器，确保设备的安全性和性能稳定性。
6679H-VB 的设计使其适用于对负电压和高电流承载能力有要求的多种应用场景，为各种电子设备和系统提供了重要的功率控制和保护功能。