### 1. 产品简介
6679-VB 是一款单P沟道场效应晶体管（MOSFET），采用Trench技术制造，具有负漏极-源极电压和极低的导通电阻，适用于需要负电压控制和高性能功率开关应用。
### 2. 详细参数说明
- **型号**: 6679-VB
- **封装**: TO252
- **沟道类型**: 单P沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**: -30V
- **栅极-源极电压（VGS）**: ±20V
- **门阈电压（Vth）**: -2.5V
- **导通电阻（RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: -60A
- **技术**: Trench
### 3. 应用示例
6679-VB 可以应用于以下领域和模块：
- **电源反向保护**: 在需要反向电压保护的电路中，6679-VB 可以作为负电压开关，保护电路免受反向电压损害，例如在电池管理系统中的电池反向连接保护。
- **信号调理**: 在信号处理电路中，特别是需要负电压信号放大和调理的场合，6679-VB 可以作为负电压信号的开关和调节器件。
- **电动工具**: 在一些需要反向电流控制和保护的电动工具中，如电动钻、电动锯等，6679-VB 可以用于电机反向电流控制和保护电路设计。
以上示例展示了6679-VB 在负电压控制和保护应用中的适用性和性能优势，适合需要负电压操作和高电流处理的电子设备和系统设计。