1 概述
本章概述 128-Mbit 同步 DRAM 元件产品，并介绍其主要特点。
特性。
1.1 特性
- 与正时钟边沿完全同步
- 工作温度 - 商用温度范围 0 °C 至 70 °C - 工业温度范围 -40 °C 至 85 °C - 汽车 2 级温度范围 -40 °C 至 105 °C - 高对比度，X（-55 °C 至 125 °C）
- 四组由 BA0 和 BA1 控制
- 可编程 CAS 延迟：1、2 和 3
- 可编程卷绕序列： 顺序或交错
- 可编程突发长度：1、2、4、8 和全页
- 多脉冲串读取与单写入操作
- 自动和受控预充电命令
- 用于读/写控制的数据屏蔽（x8、x16、x32）
- 字节控制的数据屏蔽（x16、x32）
- 自动刷新（CBR）和自刷新
- 掉电模式
- 8192 次刷新周期 / 64 ms (7.8 µs) T≦105°C
/ 32 ms (3.9us) T>105°C
- 每 CLK 随机列地址（1-N 规则）
- 单 3.3 V ± 0.3 V 电源
- LVTTL 接口版本
- 提供 86/54 引脚 TSOP II
- 芯片尺寸封装： P-TSOPII-54 10.16mm 宽 (x8, x16) P-TSOPII-86 10.16mm 宽 (x32)
SCB33S128160AE-6BI P-TSOPII54 166MHz 8M x 16 SDRAM
描述
SCB33S128[320/160/800]AE-[6B/6EB/75B] 是四组同步 DRAM，分别为 4 组 x 1 MBit x32、4 组 x 2 Mbit x16 和 4 组 x 4 MBit x8。
组 x 2 Mbit x16 和 4 组 x 4 MBit x8。这些同步器件通过采用 CAS
这些同步设备通过采用芯片架构，预取多个比特，然后将输出数据同步到系统时钟，从而在 CAS 时延内实现高速数据传输速率。
与系统时钟同步。
该器件的设计在电气和机械方面均符合同步 DRAM 产品的所有行业标准。
机械性能。所有控制、地址、数据输入和输出电路都与外部提供的时钟正边同步。
所有控制、地址、数据输入和输出电路都与外部提供的时钟正边同步。
以交错方式运行四个内存组，可实现比标准 DRAM 更高的随机存取操作速率。
率。根据突发长度、CAS 延迟和设备的速度等级，可以实现有序和无间隙的数据传输速率。
设备的速度等级。
支持 “自动刷新（CBR）”和 “自刷新 ”操作。这些器件使用 3.3 V ± 0.3 V 单电源供电。
电源供电。所有 128-Mbit 元件均采用 P-TSOPII-[86/54] 封装。