多晶硅在芯片制造中的作用
多晶硅铸造工艺中碳和氮杂质的来源
LPCVD方法在多晶硅制备中的优势与挑战
芯片制造中的多晶硅介绍
晶体管栅极多晶硅掺杂的原理和必要性
多晶硅锭定向凝固生长方法
多晶硅的存储条件是什么
硅片形貌效应及其与底部抗反射涂层(BARC)沉积策略关系的解析
多晶硅栅耗尽效应简述
浅析多晶硅锭中位错存在的两种来源
有了2D NAND,为什么要升级到3D呢?
可以用铝或多晶硅做栅极材料,是什么原因呢?
芯片制造工艺:晶体生长基本流程
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硅的形态与沉积方式