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IGBT模块热传递的详细资料介绍
消耗积分:2 |
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2020-01-01
doublesparks
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为了尽可能地充分利用芯片的理论电流承载能力，芯片所产生的功率损耗需要通过连接部分和绝缘层直接并安全地被引导至散热表面。
图1.47从原理上显示了模块中哪些内部参数会影响其散热能力（内部热阻R、内部热抗Z），这些参数与散热能力以及环境条件一起共同决定了模块所允许的最高损耗（电流、开关频率、电压等）。
图1.47中所示的RC元件并没有真实地反映热传导的物理过程，它们只是被用来形象地表明从芯片到散热器之间功率和温度是由上而下流动的。但由于热阻R山是一个静态的参数，所以它可以被用来反映相应的结构单元。
然而，电容替代了真实的物理单元，它可以由实际体积元件的热容量（参数为体积和单位热容）通过变换而得到，其条件是存在一个共同的热参考点。
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