Mosfet的损耗主要有导通损耗,关断损耗,开关损耗,容性损耗,驱动损耗
导通过程分析:
1.栅极电压从零开始上升,经过电阻Rdrive给输入电容充电,在达到门限电压以前漏极电流为0,漏极电压固定。Cgd上端电位被钳位于Vds,下端电位随栅极电压改变而改变,这个期间流过Cgd 的电流非常小可以忽略,电流大部分流过Cgs 。
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