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MOSFET讲解-17（可下载）
接下来接着看 12N50 数据手册
上面这个参数是 MOSFET 的热阻，RBJC 表示 MOS 管结温到表面的 热阻，这里我们知道 RBJC=0.75。热阻的计算公式：RBJC = Tj−Tc P ，其中， Tj 表示 MOSFET 的结温，最大能承受 150℃
Tc 表示 MOSFET 的表面温度
通过上面公式可以计算一下，表面温度在 25℃的情况下，管子能承 受的功率：0.75 = 150−25 P ，P=166W
数据手册上给到的数据来看，当 Tc=25℃时，MOSFET 的功率可以 达到 165W，是符合刚才的计算的，这里的误差是正常的，厂家在数 据手册上写的数据也是通过这个计算出来的
我们要知道，热阻越大，结温和表面顶部温度的温差就越大，也 就是说，热阻越大里面的温度散热没有那么快。这里指的是没有加散 热片的热阻，如果实际板子上加了散热片，热阻也会变小
一般数据手册给到的电气参数都是在环境温度 25℃条件下测试的。 BVDSS：漏源之间的雪崩电压。测试条件：Vgs=0V，ID=250uA。给 DS 端不断加电压，此时 ID 漏电流会增大，当 ID 达到 250uA 时，此 时的 DS 电压即为雪崩击穿电压。这里的雪崩击穿电压最小值是 500V. VGS(th)：阈值电压。测试条件：VDS=VGS，ID=250uA。不断提高 VGS 电 压同时也提高 VDS 电压，此时看 ID 电流的变化，如果 ID 达到 250uA 时，此时的 VGS 电压就是 MOSFET 的阈值开启电压了。最小值是 3V， 最大值是 5V。离散性太大，可以不用太关心这个数据
IDSS：漏极漏电流。测试条件：VDS =500V，VGS=0V。泄露电流随温
度增加而增大，漏电流也会造成功耗，P=IDSS*VDS，一般忽略不记。
IGSS：栅极漏电流。测试条件：VGS=±30V，VDS=0V
RDS(ON)：导通电阻。测试条件：VGS=10V，ID=5.75A。通常 ID都是最 大电流的一半，测到的 DS 之间的导通电阻
gfs：正向跨导。测试条件：VDS=30V，ID=5.75A。数字越大，频率响 应越高
Qg：总栅极充电电荷量。这个大小直接决定了开关速度。如果让 管子开通，栅极电压肯定上升，电压的上升需要 Qg 这么大的电荷量。 电荷量越大，表示开通的时间就越长。这个数据越大，表示 MOSFET 内部并联的就多。那么，对于高压的管子来说，Qg 肯定就小；低压 的管子，Qg 肯定就大。同时，Qg 越大，Rdson 肯定就越小；Qg 越小， Rdson 越大
Ciss：输入电容，Cgs+Cgd。影响 MOSFET 的开关时间，数据越大， 开关越慢，开关损耗就越大，但是 EMI 特性就越好，反之亦然
Crss：反向传输电容（也叫米勒电容），Cgd。影响的是，当漏极 有异常高的电压时，通过 Cgd 传输到 MOSFET 的栅极能量的大小。比 如在做雷击测试时，会有一定的影响。对关断稍微有影响
Coss：输出电容，Cgd+Cds。对关断稍微有影响
td(on)：开通延时时间。是漏极到源极开通延时的时间
tr：上升时间。是漏源电流的上升时间
实际上，上面这些参数都是与时间相互关联的参数，那么开关速 度越快，对应的有点是开关损耗小，效率高，温升低。对应的缺点是 EMI 特性不好，MOSFET 的关断尖峰过高，这是由于 MOSFET 关断瞬间的体二极管有反向恢复时间
Is：漏源最大电流。在选型时，需要注意实际工作温度对它的影响.
VSD：源极到漏极的正向导通压降。这个电压越高，表示体二极管 的续流损耗就越大
trr：体二极管反向恢复时间
Qrr：体二极管反向恢复充电电量。与充电时间成正比的，越小越 好
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