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射频VMMK器件如何通过降低寄生电感和电容提高性能
彭友旺
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VMMK器件晶圆等级和芯片封装工艺
如图1所示，VMMK器件由于安华高特有的晶圆空腔工艺降低了损耗和常见的射频表贴封装带来的寄生电路参数。通过消除焊接和封装引脚之间的寄生电感和电容，在芯片和封装间形成了一个低损耗和低阻抗的信号通道。在元件之上的空腔具有低介电常数因此能够在高频进行工作，此外空腔能够在器件应用中提供机械保护。
图1 安华高低成本半导体工艺流程
如图2所示，器件的输入端和输出端都是通过晶圆背面的孔连接，消除了丝焊导致的性能下降。安华高关于VMMK金属化和密封工艺保证了器件能够在标准焊接流程下进行操作。 VMMK器件工艺消除丝焊和改善热特性能够增加贴片的稳定性。VMMK器件工艺在表贴工艺流程中没有增加任何新的设备，现有的标准贴片设备完全满足要求。最后，通过消除封装管脚引线，VMMK器件相对于传统的射频表贴器件变的更薄，更轻和布板面积更小。例如，VMMK-2x03 射频放大器（1mm*0.5mm*0.25mm）只需要SOT-342封装5%的体积和10%的PCB面积。相比于许多标准的射频表贴封装器件，VMMK器件至少节省了50%的PCB面积。随着寄生效应的减少，VMMK器件直接与PCB导线相连降低信号通道上的损耗。VMMK器件的空腔结构能够有效的降低寄生参数和提高性能。
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