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SIP封装技术的详细资料说明
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SIP是System in Package （系统级封装、系统构装）的简称，这是基于SoC所发展出来的种封装技术，根据Amkor对SiP定义为“在一IC包装体中，包含多个芯片或一芯片，加上被动组件、电容、电阻、连接器、天线…等任一组件以上之封装，即视为 SiP”，也就是说在一个封装内不仅可以组装多个芯片，还可以将包含上述不同类型的器件和电路芯片叠在一起，构建成更为复杂的、完整的系统。 SiP包括了多芯片模组（Multi-chip Module；MCM）技术、多芯片封装（Multi-chip Package；MCP）技术、芯片堆叠（Stack Die）、 PoP （Package on Package）、PiP （Package in Package） ，以及将主/被动组件内埋于基板（Embedded Substrate）等技术。以结构外观来说，MCM属于二维的2D构装，而MCP、Stack Die、PoP、PiP等则属于立体的3D构装；由于3D更能符合小型化、高效能等需求，因而在近年来备受业界青睐。 SiP封装中互连技术（Interconnection） 多以打线接合（Wire Bonding） 为主，少部分还采用覆晶技术（Flip Chip），或是Flip Chip 搭配Wire Bonding 作为与Substrate （IC载板） 间的互连。但以Stack Die （堆叠芯片） 为例，上层的芯片仍需藉由Wire Bonding 来连接，当堆叠的芯片数增加，越上层的芯片所需的Wire Bonding长度则将越长，也因此影响了整个系统的效能；而为了保留打线空间的考虑，芯片与芯片间则需适度的插入Interposer，造成封装厚度的增加。随着SoC制程技术从微米（Micrometer）迈进纳米的快速演进，单一芯片内所能容纳的电晶体数目将愈来愈多，同时提升SoC的整合能力，并满足系统产品对低功耗、低成本及高效能之要求。但是当半导体制程进入纳米世代后，SoC所面临的各种问题，也愈来愈难以解决，如制程微缩的技术瓶颈及成本愈来愈大、SoC芯片开发的成本与时间快速攀升、异质（Heterogeneous ）整合困难度快速提高、产品生命周期变短，及时上市的压力变大，使SiP技术有发展的机会。
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