IGBT ,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由 MOSFET (输入级)和 PNP 晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有 MOSFET 器件驱动功 率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于 MOSFET 与功率晶体管之间,可正常 工作于几十 kHz 频率范围内。理想等效电路与实际等效电路如图所示:
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