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压接型IGBT芯片动态特性实验平台设计与实现

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:5.27 MB | 2023-08-08

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摘要 压接型 IGBT 芯片在正常的运行工况下承受着电-热-力多物理量的综合作用，研究电热-力影响下的 IGBT 芯片动态特性对于指导 IGBT 芯片建模以及规模化 IGBT 并联封装设计具有 重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型 IGBT 芯片的动态特性，该文结合双脉冲测试 电路原理，研制出具备电-热-力灵活调节的压接型 IGBT 芯片动态特性实验平台。通过对动态特性 实验平台关键问题进行有限元仿真计算，实现平台回路寄生电感、IGBT 芯片表面压力分布及机 械夹具温度分布的优化设计。在此基础上建立压接型 IGBT 芯片动态特性实验平台，对实验平台 进行综合调试，结果表明，该文所设计的实验平台具有寄生电感小、IGBT 芯片表面压力分布均 衡及机械夹具各组件温度分布合理的特点，可以满足电-热-力综合影响因素下压接型 IGBT 芯片动 态特性实验的需求。

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