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6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:100.1KB | 2022-02-11

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由于不间断电源的兴起,IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应,因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格,需要负压驱动进行辅助。当MOSFET作用在电路中时,由于MOSFET速度比较快,因此关断过程中不会产生负压,但值得一提的是,在干扰较重的情况下,这一现象是有助于提高可靠性的。本文将针对IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动技术进行大致的介绍,帮助大家理解。...
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