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栅极驱动参数对IGBT开通的影响

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.91 MB | 2023-02-23

李骏鹏

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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS绝缘栅型场效应管组成的复 合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流 密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的 优点，驱动功率小而饱和压降低。
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