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SIC碳化硅MOS、模块产品手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:7.45 MB | 2022-02-17

钱先生

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SIC MOSFET是第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiC MOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热

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