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infineon的器件mos管资料

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:1.45 MB | 2022-08-05

李晴

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英飞凌的mos管资料，650V工具™ISBuiltoverthesolidsiliconcarbide技术开发时间不超过20年。利用宽带隙SiC材料特性，650V冷却液™MOSFET是独一无二的性能、可靠性和易用性的组合。适用于高在温度和湿度条件下，可降低成本和成本高效系统的有效部署。
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