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利用0.18-Um CMOS制程之60-GHz毫米波共面波导馈入式
nana
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近年来，宽带多媒体应用需求造成无线网络容量的持续增长。尤其是密集的短距离通信，而60-GHz无线个人局域网络(WPAN)尤其适合应用在段距离无线通信上，因为在含氧大气中的衰减量可达到每公里10到15dB，且频宽可达到8-GHz。使得60-GHz频带在短距离无线通信系统成为一具吸引力之选择。为了达到60-GHz射频系统嵌入式芯片与平价积体化CMOS射频前端嵌入式芯片天线电路的要求，毫米波CMOS射频集成电路(RFICs)与嵌入式芯片天线开始被研究。而在2006年，利用低阻抗性硅基板所制造的芯片型倒F型天线已经被提出[5]，而所设计之60-GHzCMOS晶片型共平面馈入Yagi天线也已经被发表，且所发表之天线是利用0.18μmCMOS制程所制造。而不同架构之平面型共平面波导馈入方式之Quasi-Yagi天线也已经被发表，且在X-band的频带中，接地面常被用来当成反射金属使用。在本文的设计中，是使用0.18μmCMOS制程配合如图一所示之六层金属层来实现所设计之嵌入式芯片天线，且在馈入时是利用简单的共平面波导转共平面带线的方式进行转换[8]，利用第一层金属层来作为反射带。本文所提出之嵌入式芯片天线方式可简化一般在设计Quasi-Yagi天线时所需面临之复杂的馈入网络。而所设计之天线是利用HFSS电磁仿真软件进行仿真，实作完成后是利用微波探针进行晶圆及量测，以量测得所设计之嵌入式晶片天线的驻波比与功率增益。
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