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集成氮化镓改变了传统的智慧吗？
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2022-11-02
卓侨汉
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在氮化镓（GaN）功率FET的早期阶段，故障很常见。更严格的栅极环路设计要求，更高的dv/dt和共源电感的影响使得电路对寄生和噪声更敏感。当TI推出第一个600V GaN功率级样品时，我惊叹于该产品的可靠性和其自我保护功能的有效性。即使功率级已经通过严格的测试验证，我以前的硅器件经验让我对其在实际使用中的可靠性也感到好奇。更重要的是，这些功能会改变电路原型和调试的传统智慧吗？
在最近的交错式转换器设计中，我使用了两个具有一些基本直流总线设计的TI半桥LMG3410-HB-EVM评估模块（EVM），由UCD3138数字脉宽调制（PWM）控制器控制。当两个交错的半桥结合在一起时，我看到PWM信号反复受到高dv/dt（100V /ns…
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