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N沟道增强型TO-252 MOSFET SWD062R08E8T

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.69 MB | 2022-11-21

lycheng

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NMOS TO-252 低内阻 BVDSS : 80V ID : 110A RDS(ON) : 6.0mΩ 电机驱动推荐。该功率MOSFET采用SAMWIN的先进技术生产。该技术使得功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是优异的雪崩特性。
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