成像过程
光电转换CMOS VS CCD图像传感器的原理是一样的。它们的主要区别在于信号的读出过程不同。
CCD只有一个(或几个)输出节点统一读出,其信号输出的一致性很好。在CMOS芯片中,每个像素都有自己的信号放大器,进行电荷-电压转换,其信号输出的一致性较差。但是,为了读出整个图像信号。CCD 要求输出放大器具有较宽的信号带宽。在CMOS芯片中,每个像素对放大器的带宽要求较低,大大降低了芯片的功耗。这是 CMOS 比 CCD 功耗低的主要原因。尽管功耗降低了,但数百万放大器的不一致性导致了更高的静态噪声,这也是 CMOS 相对于 CCD 的固有缺点。
从制造工艺上看,CCD中的电路和器件都是由半导体单晶材料厂家集成的,工艺比较复杂。世界上只有少数几家厂商可以生产CCD晶圆,如DALSA、SONY、Panasonic等。CCD只能输出模拟电信号,需要经过地址译码器、模拟转换器和图像信号处理器进行后续处理。它还需要提供三组不同电压的电源同步时钟控制电路,因此集成度很低。
CMOS 集成到称为金属氧化物的单一材料中。这个过程与生产计算机芯片、存储设备等数以万计的半导体集成电路的过程是一样的。因此,CMOS的生产成本远低于CCD。同时,CMOS芯片可以将图像信号放大电路、信号读取电路、A/D转换电路、图像信号处理器、控制器集成在一个芯片中。只需一颗芯片即可实现相机的所有基本功能,集成度非常高。高芯片级相机概念由此诞生。
随着CMOS成像技术的不断发展,越来越多的公司能够提供高质量的CMOS成像芯片,包括Micron、CMOSIS、Cypress等。
CCD采用光敏输出,逐一输出,只能按指定程序输出,速度相对较慢。
CMOS 相机具有更高帧速率的潜力,因为与 CCD 传感器移位寄存器中的电荷转移相比,读取每个像素的过程可以更快地完成。对于数码相机,曝光时间可以从几十秒到几分钟不等,但最长的曝光时间只有 CCD 相机才有可能,与 CMOS 相比,CCD 相机的暗电流和噪声更低。CMOS 成像器固有的噪声将它们的有用曝光限制在几秒钟内。
CCD技术发展较早,比较成熟。它采用PN结或二氧化硅(SiO2)隔离层隔离噪声,成像质量较CMOS光电传感器有一定优势。
由于CMOS图像传感器集成度高,元器件和电路之间的距离很近,因此会产生一定的干扰,其中噪声对图像质量影响很大。近年来,随着CMOS电路降噪技术的不断发展,为生产高密度、高质量的CMOS图像传感器提供了良好的条件。
随着CMOS图像传感器技术的进步,它具有成像速度快、功耗低、成本低等优点。因此,现在市面上的工业相机大多采用CMOS图像传感器。
在很多应用中,这两种技术都很重要。一般而言,生命科学以及高端检测应用(即需要高图像质量的应用,例如显微镜)以及需要较长曝光时间的应用通常都需要 CCD 技术一个重要的角色。在这里,CCD 可以利用其暗电流较低的优势。
全局快门 CMOS 技术的应用范围很广:从传统的生产线自动化检测到交通应用。我们还看到许多 3D 扫描仪应用程序引起了人们的极大兴趣。在那里,CMOS 技术是首选,因为它具有较低的功耗和通常较低的成本。虽然并非不可能,但使用滚动快门进行 3D 扫描会更加困难。因此,全局快门 CMOS 传感器对于任何类型的 3D 扫描应用都特别值得。
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