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大功率半导体器件静态测试专用系统

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.29 MB | 2023-02-15

成尔秩

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功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达 4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器 件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。 普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等 测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。
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