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大功率半导体器件静态测试专用系统

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.29 MB | 2023-02-15

成尔秩

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功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达 4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器 件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。 普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等 测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景。

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