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用于PCChips M919的3.3V 1MB缓存棒设计
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描述
M919 3.3V 1MB 缓存棒
用于 PCChips M919 的 3.3V 1MB 缓存棒设计
（此设计仅适用于 3.3V 处理器。5V/4V CPU 将违反 3.3V SRAM 芯片相对于 GND 的绝对最大端子电压，这可能会导致缓存 IC 永久损坏。）
设计使用中心功率 0.400" 32-SOJ 128Kx8 3.3V SRAM，速度等级为 8（不太常见）/10/12/15ns 的几家供应商均有提供。这些部件都应符合以下标准：
71V124SA10/12/15Y
CY7C1019DV33-10VXI
CY7C1019BV33-10/12/15V
CY7C1019CV33-10/12/15V
IS63LV1024-8/10/12K
AS7C31025B-10/12/15J
AS7C31025C-10J
物料清单只有 3 个不同的部分：
数量 18 - 0603 0.1uF 6.3V+ 陶瓷电容器
数量 9 - 如上所述的 SRAM 部件
数量 4 - 0603 33ohm 凸面 4 电阻阵列
如果您有手工焊接经验，可以通过这种方式构建模块（到目前为止，我就是这样构建我的模块的！）
我一直在以最快的 L2 和 DRAM 设置使用 5x86-P75 (133MHz) 测试模块设计并且它一直非常稳定，运行许多 DOS 和 Win95 基准测试和测试（例如 Quake，Doom，cachechk，Winstone 96 , CPUmark99, Super PI) 没有问题。
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