二极管™ DGD0579U,带集成自举二极管的高端/低端栅极驱动器用于最佳驱动MOSFET。下面(图1)是一个使用DGD0579U和MOSFET制作三个半桥电路的示例应用程序,用于驱动无刷直流电机。DGD0579U由于其高速性能,也非常适合低压电源。在本文件中讨论了DGD0579U中设计所需的重要参数。主要部分是自举电容器选择、栅极驱动器元件选择,去耦电容器讨论,以及PCB布局建议。
图1。DGD0579U三相电机驱动器应用实例
考虑图1,当低侧MOSFET(Q2、Q4或Q6)导通时,Vs拉到GND和自举电容器(CB1、CB2或CB3)被充电。当高侧MOSFET(Q1、Q3或Q5)导通时,VS摆动到Vcc以上,并且自举电容器(CB)上的电荷提供电流以驱动IC高侧栅极驱动器。CB的电荷由Vcc通过集成自举电阻器提供,并且自举二极管,通常CB的第一次充电处于通电状态,这将是通过自举电路的最大电流,因为通常CB不是在正常运行的每个循环期间完全放电。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉