以粗糙度指标为例,电镀工艺后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差,所以键合前需要对其表面进行平坦化处理,如化学机械抛光(CMP),使得键合时Cu 表面能够充分接触,实现原子扩散,由此可见把控Bump表面粗糙度是必不可缺的过程。
为了贴合工艺制程,积极响应客户Bump 计量需求,中图仪器以高精度、多功能合一等优势将自研量测设备推向众多半导体客户。BOKI_1000系统支持键合、减薄、翘曲和切割后的基板,可以为包括切割后、预键合、铜焊盘图案化、铜柱、凸块(Bump)、硅通孔(TSV)和再分布层(RDL)在内的特征提供优异的量测能力。
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